SK하이닉스, 차세대 모바일 메모리 LPDDR4 세계 최초 개발
SK하이닉스, 최대용량 비휘발성 하이브리드 D램 모듈 개발
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기업
2014.06.24 03:06
SK하이닉스, 차세대 초고속메모리 시장 선도한다
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SK하이닉스, 차세대 초고속메모리 시장 선도한다 SK하이닉스가 18일(水), 산호세에 위치한 미국 법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다. SK하이닉스는 지난해 말 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고, 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. 뒤이어 이번 심포지엄을 개최해 중장기 HBM 로드맵을 소개함으로써, 다양한 응용 분야의 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 것으로 기대된다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저(Interposer) 위에, SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급된다. 이 때문에 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다. SK하이닉스가 현재 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다. 
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