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하이닉스반도체가 54나노 기술을 적용해 세계 최고 성능의 1기가비트(Gb) 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 27일 밝혔다. 이 제품은 세계 최초로 평균 1.2V의 저전압에서 초고속 데이터 전송속도인 1066Mbps 를 구현할 수 있어 공정 기술 및 전압, 속도 측면에서 세계 최고 성능을 갖춘 모바일 D램 제품이다.
이 제품은 1066Mbps의 세계 최고속 데이터 전송 속도를 구현해 32개의 정보 출입구(I/O)를 통해 초당 싱글 채널(Single Channel)의 경우 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 8.52기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 이 속도는 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다.
이 제품은 대기 전력 소모를 단축하면서도 빠른 속도를 구현해 모바일 인터넷 디바이스(MID; Mobile Internet Device), 넷북 (Net Book) 그리고 고성능 스마트폰 (High-End Smart Phone) 등의 모바일 애플리케이션에 적합하다. 또한 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한‘원 칩 솔루션’ 기능도 제공돼 탑재되는 기기의 사양에 적합하게 변경해 사용할 수도 있다. 이 제품은 올 3분기부터 양산될 예정이다.
하이닉스는 이번 세계 최초 54나노 1기가비트 LPDDR2를 개발한 데 이어, 내년 초에는 40나노급 LPDDR2 제품을 개발해 내년 모바일 LPDDR2 시장 점유율을 30% 이상 확대하는 것을 목표로 하고 있다. 그동안 모바일 메모리 제품에 대한 고객들의 만족도가 높았던 만큼, 이번 세계 최고 성능의 LPDDR2 제품 개발을 통해 모바일 제품군을 더욱 다양화하고 고객사의 요구에 적시 대응해 고부가가치 모바일 메모리 시장을 선도할 계획이다.
(사진: 하이닉스반도체 제공)
<전 유럽 한인대표신문 유로저널, 전 영국 한인대표신문 한인신문, eknews.net>
