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2009.08.12 01:47

하이닉스반도체, 세계 최초 4Gb 모바일 D램 인텔 인증 획득

유로저널

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하이닉스반도체는 세계 최초로 54나노 2기가비트(Gb) 기반으로 개발된 4기가비트 모바일 D램이 인텔 모바일 인터넷 디바이스(MID; Mobile Internet Device)용 칩셋인 무어스타운(Moorestown)에 대한 인증을 획득했다고 밝혔다. 하이닉스의 모바일 제품이 인텔의 인증을 획득한 것은 이번이 처음이다.

4기가비트 모바일 D램은 모바일 제품 중 최대 용량으로, 기존의 2기가비트 제품의 패키지 크기를 유지하면서 용량은 두 배로 늘린 것이 특징이다. 전력 소비도 기존 2기가비트 제품과 비교해 큰 차이가 없어 사용시간이 긴 모바일 인터넷 디바이스, 넷북(Netbook), 휴대전화, 네비게이션 등의 모바일 애플리케이션 제품에 적합하다. 이 제품은 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 이 제품은 올해 3분기부터 양산될 예정이다.

하이닉스는 그 동안 고용량의 2기가비트 모바일 D램(2008년 12월), 최고속·최저전압의 1기가비트 LPDDR2(2009년 4월) 등 다수의 제품을 세계 최초로 개발하는 등 모바일 사업을 강화해왔다. 그 결과 뛰어난 성능을 갖춘 다양한 모바일 제품군을 확보하게 됐으며, 모바일 제품에 대한 고객사의 요구에 적시에 대응해 고객들의 만족도를 높일 수 있었다.

(사진: 하이닉스반도체 제공)

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